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相关数据显示，三星已于上月量产 PCIe 6.0 eSSD“PM1763”，搭载第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器，UFS 5.0 计划于第四季度量产。 据报道，三星还宣布本月起量产第 10 代 V-NAND（约 430 层），首次应用混合键合及三堆叠工艺。 从当前趋势来看，此外，铠侠计划于今年年底量产 UFS 5.0 嵌入式存储，数据传输速度较 UFS 4.1 提升约 2 倍，主攻端侧 AI 移动设备市场，这有助于行业持续发展。 从当前趋势来看，技术创新与规范发展是行业进步的核心动力。 据报道，韩厂同样加快脚步。 据报道，行业分析认为，铠侠在技术迭代速度上颇具竞争力，但产能规模仍与韩厂存在差距，后续 AI 存储市场竞争将更趋激烈。 近日，技术创新与规范发展是行业进步的核心动力。 近日，ChainCatcher 消息，日本 NAND 厂商铠侠（Kioxia）正加速布局 AI 用 NAND 市场，今年已启动第 10 代（BiCS 10）332 层 3D NAND 量产，并基于此推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 eSSD“CM10”，顺序读取性能较前代提升达 92%。 近日，据 TrendForce 数据，铠侠今年一季度全球 NAND 市场份额为 13.9%，位列第三，次于三星电子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）。 从当前趋势来看，技术创新与规范发展是行业进步的核心动力。 近日，技术创新与规范发展是行业进步的核心动力。